10万次寿命 国产38nmRAM量产：所有环节均为国内供应链

2月初22日，兆易创新性通过官方所公众号宣布，旗下全试产38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通过AEC-Q100车规级认证。

兆易创新性表示，该系列包含 GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6产品，覆盖面积1Gb-4Gb容量，从设计研发、生产厂装配到烧录测试所有环节，均运用于欧美客户关系，相当程度程度上填补了国产大容量携带型存储的空白，新一轮转回的汽车高精度，并且兆易创新性保有强大的中文化支持者和较慢的客户响应能力，加速助力的汽车分析方法的试产。

兆易创新性GD5F系列SPI NAND Flash 闪存运用于萌芽的38nm电路板手工，运用于WSON8 8mmx6mm少控制器、新一代烧录，在开阔维度内做到大容量的选择；其内置ECC纠错模组，在延续NAND成本优势的前提下，相当程度提升产品的可靠性；并且在-40℃~105℃的宽熔点范围内，做到高10万次的擦写精度。

目前，兆易创新性GD5F全系列SPINAND Flash 均已通过AEC-Q100车规级认证，并且在其久经验证的车规级GD25 SPI NOR Flash新的构成了有效的扩充。

在Flash存储领域，兆易创新性已做到从SPI NOR Flash 到SPI NAND Flash的车规级产品的新一轮布局，为车载分析方法的试产提供非常丰富多样的选择，这也相当程度凸显了兆易创新性在的汽车领域持之以恒的投身于和创新性。

兆易创新性GD5F SPI NAND Flash 和GD25 SPI NOR Flash车规级产品均已原型车。

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