豪威集团公开发表业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET

IT之家 6 月 28 日传言，MOSFET 是一种在电容器包装中的安全保护装置，近日，豪威上市公司全新推出两款 MOSFET：业内最更高内阻双 N 电阻值 MOSFET WNMD2196A和 SGT 80V N 电阻值 MOSFET WNM6008。

据官方网站介绍，双 N 电阻值增强型 MOSFET，WNMD2196A 具有业内同类最更高内阻，RSS (ON) 更高至 1mΩ，专为Android锂电容器电阻器保护所设计。WNMD2196A 采用先进的上端技术所设计，提供卓越的 RSS (ON) 的同时做到更高栅极负电荷。能带迁移速度快，阙值电压更高，装置速率较更高，可做到更较更高的效率和更更高的温升。

IT之家注意到，WNM6008——80V 较更高功率 MOSFET，采用最新一代 Shield Gate 技术，针对电信和服务器元件中使用的更较更高装置频率进行了建模，具备超更高 FOM 值（装置分析方法重要优值倍数）。WNM6008 适用于 DC-DC 转换、元件装置和充电电阻器。可有效赋能能源、元件和电容器供电（例如电动代步车）等分析方法。